Inverse Design Information Functional Silicon Materials

骆军委, 研究员

中国科学院半导体研究所

地点: 物理楼中楼212室

时间： 2014年12月17日 (星期三) 13:30-15:00

We reported numerical predictions that a material consisting of atomically thin layers of silicon and germanium—a superlattice active, direct band gap. Meanwhile, electronic spins in Si are raising contenders for qubits -- the logical unit of quantum. Very recently, we numerically inverse designed Si quantum well to isolating a single electron valley state in Si by a magic-sequence of Ge/Si barrier layers [3]. In the last part, our recent understanding of nanoscale light emission will be presented.

骆军委，中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师，半导体超晶格国家重点实验室计算材料和器件研究组组长。2006年博士毕业于中国科学院半导体研究所，2007年至2014年美国可再生能源国家实验室先后从事博士后、永久职位研究员；2013年入选中组部第五批“青年千人计划”；2014年1月进入中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室工作，研究兴趣包括半导体低维光电材料、半导体自旋电子学、半导体低维新能源材料、电子晶体管量子器件模拟。发表论文40余篇，包括Nature Materials 一篇、 Nature Physics 两篇、Nature Communications一篇、PRL四篇、Nano Letters 五篇，撰写专著三章，

联 系 人 胡小永 (62768705)